熱點頻道

以 MicroSMP 封裝的威世新TMBS® 整流器大幅 節省空間,同時增加功率密度與提升效率

 2017-08-01

1 A 2 A裝置的特色是0.65 mm 輕薄外型與順向壓 0.36 V

 

威世 (Vishay Intertechnology, Inc.) 推出以 eSMP® 系列 MicroSMP (DO-219AD) 封裝的 10 個新 1A 與 2A 裝置擴大其表面貼裝的 TMBS® 採用溝槽式 MOS 肖特基整流器產品。為 SOD123W 的肖特基整流器提供節省空間的替代方案,威世通用半導體裝置,有從 45 V 到 150 V 的反向電壓,並包含業界在 MicroSMP 領先的 2 A TMBS 整流器,以提供低至 0.40 V 的順向壓降。

目前,電流額定達 2 A 的肖特基整流器一般是以 SOD123W 與 SMA 封裝。今天發佈的裝置以較小的 MicroSMP 提供此高順向電壓,增加功率密度。2.5 mm x 1.3 mm x 0.65 mm 的輕薄外型,該封裝的厚度比 SOD123W 少了 35%,佔用主機板的空間少了45 %。為了取得卓越的熱效能,MicroSMP 以不對稱的引線框架設計為特色。

將順向電壓降至 0.36 V (1 A 裝置) 與 0.40 V (2 A 裝置),整流器降低功率損失並改善商業與工業應用中低壓高頻變頻器、DC/DC 換能器與飛輪與極性保護二極體的效率。該裝置也可符合 AEC-Q101 可應用於汽車電子設計。

新的整流器功能是最高的操作接合點溫度可達 +175°C 與符合MSL1 等級濕度敏感度,J-STD-020,LF 最大峰值 +260 °C。適合自動化放置,該裝置符合 RoHS 且是無鹵。

 

裝置規格表:

零件號碼

IF(AV) (A)

VRRM (V)

IFSM (A)

VF at IF TJ

TJ 最大 (°C)

VF (V)

IF (A)

TA (°C)

V1P6

1

60

25

0.45

1

+125

+150

V2P6

2

60

30

0.51

2

+125

+150

V1PL45

1

45

25

0.36

1

+125

+150

V2PL45

2

45

30

0.40

2

+125

+150

V1PM10

1

100

25

0.58

1

+125

+175

V2PM10

2

100

30

0.62

2

+125

+175

V1PM12

1

120

25

0.61

1

+125

+175

V2PM12

2

120

30

0.65

2

+125

+175

V1PM15

1

150

25

0.64

1

+125

+175

V2PM15

2

150

30

0.68

2

+125

+175