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安森美半導體推出全新的中壓N溝道MOSFET陣容

 2015-08-12

 

 

經優化用於減開關、導通及驅動器功耗以提升能效

 

推動高能效創新的安森美半導體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號: ON),針對數據網路、電信和工業應用推出新的高能效單N溝道功率MOSFET系列,進一步擴大其寬廣的產品陣容。

 

這些器件能提供低得令人難以置信的導通電阻RDS(on) 值,從而將導通損耗降至最低並提升整體工作能效水平。它們還有低至2164皮法(pF)的門極電容(Ciss),確保保持盡可能低的驅動損耗。

 

安森美半導體新的NTMFS5C404NLTNTMFS5C410NLTNTMFS5C442NLT MOSFET額定擊穿電壓為40伏(V),最大導通電阻值(Vgs為10 V時)分別為0.74毫歐(mΩ)、0.9 mΩ和2.8 mΩ,連續漏電流分別為352安(A)、315 A和127 A。與這些器件相輔相成的NTMFS5C604NLNTMFS5C612NLNTMFS5C646NL,額定擊穿電壓60 V,最高導通電阻分別為1.2 mΩ、 1.5 mΩ 和 4.7 mΩ,而相關的連續漏電流為287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的這兩種器件的額定工作結溫都高達175 ˚C,從而為工程師的設計提供更大的熱餘裕。安森美半導體將推出採用更多的電阻值和不同的封裝,如micro8FL、DPAK 和 TO220來擴大此產品線。

 

安森美半導體功率分立產品副總裁兼總經理Paul Leonard說:「OEM的工程團隊不斷致力於創建更高能效的電力系統設計,同時佔用更少用板空間。我們新加的器件擴大了我們廣泛的功率MOSFET產品陣容,為客戶提供高性能的器件,採用緊湊的、高熱能效的封裝,幫助他們達到更高能效的設計目標。」

 


封裝

NTMFS5C404NL、 NTMFS5C410NL、 NTMFS5C442NL、 NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL都採用緊湊的、符合RoHS的SO8FL (DFN-8)封裝。