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Toshiba東芝推出低高度封裝軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器

 2014-10-29

    Toshiba東芝公司推出採用低高度SO6L封裝的軌對軌輸出柵極驅動光電耦合器,用於直接驅動中低等功率絕緣柵雙極電晶體(IGBT)及功率金屬氧化物半導體場效應電晶體(power MOSFET)。

 

    新款光電耦合器包括用於驅動小功率IGBT的“TLP5751”和用於驅動中等功率IGBT的“TLP5752”及“TLP5754”,它們均採用低高度SO6L封裝。與採用DIP8封裝的東芝產品相比,新產品的高度僅為前者的54%,安裝面積僅為前者的43%,有助於開發更纖薄小巧的裝置。儘管高度較低,但新產品依然保證了8mm的漏電距離和5kV的絕緣電壓,適用於對絕緣規格要求較高的應用。

 

    電氣特性方面,新款光電耦合器擁有軌對軌輸出,在全擺動輸出狀態下可透過擴大操作電壓範圍來實現更高的效率。新產品提供1A、2.5A和4A三種輸出電流,以滿足廣泛的用戶需求。新產品還內建東芝獨創的高功率紅外LED,適用於多種應用,包括需要高度熱穩定性的應用,例如工廠自動化、家用光電電力系統、數位化家用電器和不斷電供應系統(UPS)。

 

新產品主要規格

產品型號

TLP5751

TLP5752

TLP5754

峰值輸出電流

±1.0A

±2.5A

±4.0A

供電電壓

15~30V

電源電流

3mA(最大值)

閾值輸入電流

4mA(最大值)

傳播延遲時間

150ns(最大值)

傳播延遲偏差

80ns(最大值)

軌對軌輸出

預裝

VUVLO功能

預裝

漏電距離

8mm(最小值)

絕緣電壓

5000Vrms(最小值)

共模瞬態抑制

±35kV/µsec

工作溫度範圍

-40~110ºC

適用功率設備

低功率IGBT(最高20A级)和功率MOSFET

中等功率IGBT(最高80A级)和功率MOSFET

中等功率IGBT(最高100A级)和功率MOSFET

 

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