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Vishay推出A、B和T外形尺寸的具有470μF高电容和25mΩ低ESR的T55系列聚合物钽片式电容器

 2016-02-24

日前,Vishay Intertechnology, Inc. 推出A、B和T(低高度B外形的最大高度为1.2mm)外形尺寸,有8种新性能规格的器件,扩充其vPolyTan™的T55系列表面贴装聚合物钽模塑片式电容器。Vishay Polytech T55系列充分利用Vishay领先的封装技术和近期在钽聚合物技术上的投入成果,电容显著提高,ESR大大降低,可用于计算机、通信和工业应用。

 

2.5V电压下,B外形电容器的电容高达470μF,ESR为25mΩ,电容为330μF的电容器的ESR也较低,为25mΩ。6.3V电压下,A和T外形尺寸的器件改善了ESR,100μF器件的ESR为70mΩ,33μF和220μF的B外形器件的ESR分别为40mΩ和35mΩ。10V电压时,47μF的B外形尺寸器件的ESR低至70mΩ。

 

T55电容器的低ESR要归功于其聚合物负极,这种负极使电容器的性能远优于采用二氧化锰材料的器件。另外,这些器件具有高达2.28A IRMS的纹波电流和低内阻,可提高充电和放电特性。电容器适用于计算机、平板电脑、智能手机、无线数据卡和固态硬盘里的电源管理、电池解耦和储能。

 

T55系列有J、P、A、B和T等5种小外形尺寸,电容从3.3μF到470μF,电压等级从2.5V到10V,电容公差为±20%。器件在+25℃和100kHz下具有500mΩ~25mΩ的超低ESR,可在-55℃~+105℃温度范围内工作,温度超过+85℃时需要电压降额。

 

T55系列电容器采用无铅端接,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。器件适合高速自动拾放设备,潮湿敏感度等级(MSL)为3。

 

增强型T55系列现可提供样品,并已实现量产。