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安森美半导体的碳化硅二极管提供更高能效、更高功率密度与更低的系统成本

 2018-03-28

650 V 碳化硅肖特基二极管(Schottky diode)的开关效能出色且更可靠

 

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650 V碳化硅(SiC)肖特基二极管(Schottky diode)系列产品,扩展SiC二极管产品组合。这些二极管的先进碳化硅技术提供更高的开关效能、更低的功率损耗,并轻松实现元件并联。

 

安森美半导体最新发布的650 V SiC 二极管系列提供6安培(A)到50 安培(A)的表面黏着(surface mount)和穿孔封装。所有二极管均提供零反向恢复(reverse recovery)、低正向压(forward voltage)、不受温度影响的电流稳定性、高浪涌(surge)容量和正温度系数(temperature coefficient)。

 

工程师在设计用于太阳能光伏(solar PV)反相器(inverter)、电动车/油电混合动力车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等各类应用的PFC和升压转换器时,面对在更小尺寸实现更高能效的挑战。全新的二极管能为工程师解决这些挑战。

 

这些650 V元件提供的系统优势包含更高能效、更高功率密度、更小尺寸和更高的可靠性。其固有的低正向电压(VF)及SiC二极管的无反向恢复电荷能减少功率损耗,因此提高能效。SiC二极管更快的恢复速度使开关速度更高,因此能够缩减磁性元件和其他被动元件(passive component)的尺寸,实现更高的功率密度与更小的整体电路设计。此外,SiC二极管能承受更高的浪涌电流,并在 -55至 +175°C的工作温度范围内提供稳定性。

 

安森美半导体的SiC肖特基二极管具有独特的专利终端结构,加强可靠性并提升稳定性和耐用性。此外,二极管提供更高的雪崩能量(avalanche energy)、业界最高的非箝制电感性开关(unclamped inductive switching;UIS)能力和最低的漏电流(leakage current)。

 

安森美半导体MOSFET业务部资深副总裁暨总经理Simon Keeton表示:“安森美半导体新推出的650 V SiC二极管系列与公司现有的1200 V SiC元件相辅相成,为客户带来更广泛的产品。SiC技术利用宽能带隙(wide band gap)材料的独特特性,比硅更实惠,其稳健的结构为严苛环境中的应用提供可靠的解决方案。我们的客户将受益于这些简化的、效能更佳、尺寸设计更小的新元件。”