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意法半导体(ST)推出新款功率MOSFET,实现更小、更环保的汽车电源

 2016-03-16

意法半导体(ST)针对汽车市场推出了新系列高电压N信道功率MOSFET。新产品通过AEC-Q101汽车测试认证,采用意法半导体最先进、内建快速恢复二极管的MDmesh™ DM2超接面制程,崩溃电压范围为400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三种封装。

 

400V和500V两款新产品是市场上同级产品中首获AEC-Q101认证的功率MOSFET,而600V和650V产品性能则高于现有竞品。全系列产品专为汽车应用所设计,内部整合高速本体二极管(fast body diode)、恢复软度系数更高的换向行为(commutation behaviour)和背对背闸极源极齐纳(gate-source zener)二极管保护功能,是全桥零电压开关拓扑的理想选择。

 

意法半导体的新功率MOSFET是汽车市场上Trr(反向恢复时间)/Qrr(反向恢复电荷)比和恢复软度系数表现最好的功率MOSFET,同时也拥有最出色的高电流关机能源(Eoff),有助于提升汽车电源能效。此外,内部高速本体二极管的性能表现亦十分出色,有助于降低EMI电磁干扰,让设计人员能够使用尺寸更小的被动滤波组件。MDmesh™ DM2技术透过这种方式让电源设计变得更环保、能耗更低,从而使能效最大化、终端产品的尺寸最小化。

 

意法半导体的新款车用功率MOSFET拥有以下主要特性:

  • 快速恢复本体二极管
  • 极低的闸极电荷及输入电容,500V D2PAK产品的闸极电荷及输入电容分别为44nC和 1850pF
  • 低导通电阻
  • 最短的Trr(反向恢复时间):600V TO-247在28A时是120ns;650V TO-247在48A时是135ns
  • 闸极源极齐纳二极管保护

 

欲了解更多产品详情,请浏览www.st.com/mdmeshdm2