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TI 德州仪器的 NexFETN™ 信道功率 MOSFET 实现业界最低电阻

 2015-05-20

采用 5 公厘 x 6 公厘 QFN 封装并具极低 Rdson 25 V 30 V 装置

 

德州仪器 (TI) 推出 NexFET™ 产品线的 11 款新型 N 通道功率 MOSFET,包括拥有业界最低导通电阻 (Rdson) 且采用 QFN 封装的 25 V CSD16570Q5B 和 30 V CSD17570Q5B,其适合热插入和 ORing 应用。此外,TI 针对低电压电池供电型应用的新型 12-V FemtoFET™ CSD13383F4 在采用 0.6 公厘 x 1公厘的纤巧型封装情况下实现了比同类竞争装置低 84% 的极低电阻。如需取得更多信息、样品或参考设计,敬请参访www.ti.com/csd16570q5b-pr-tw。 

CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET MOSFET 可在较高电流条件下提供较高的电源转换效率,同时在计算机服务器和电信应用中确保安全的运作。例如: 25 V CSD16570Q5B 支持 0.59 mΩ 的最大 Rdson ,而 30 V CSD17570Q5B 则实现了 0.69 mΩ的最大Rdson。请阅读一篇部落格,题为「针对采用热插入和 ORing FET 控制器设计的功率 MOSFET 安全工作区 (SOA) 曲线」。下载一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET 的 12 V、60 A 热插入参考设计。 

TI 的新型 CSD17573Q5B 和 CSD17577Q5A 可与针对 DC/DC 控制器应用的 LM27403 搭配使用,以构成一款完整的同步降压型转换器解决方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET 功率 MOSFET 则可与诸如TPS24720 等 TI 热插入控制器配套使用。请下载应用笔记「稳固的热插入设计」,了解如何将一个晶体管选用为传输组件,以及怎样在所有可能的情况下确保安全运作。

 

新型 NexFET 产品及主要特点

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