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Toshiba东芝推出40V电压功率MOSFET “U-MOS IX -H”系列产品

 2015-05-20

Toshiba东芝公司推出40V电压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比东芝传统的U-MOS VI-H系列,新系列减少了76%的导通电阻,实现业界顶级的低导通电阻。此外,它还减少了Qoss的增加,进而提高开关电源的效率。

 

 

 

主要特性

  • 业界顶级的低导通电阻:0.85mΩ(最大值)
  • 业界顶级的低RDSON・Qoss:60mΩ・nC

 

应用

适用于主板, 服务器和电信基站的高效开关电源

 

主要规格

产品名称

封装

VDSS(V)

RDSON
最大值(mΩ)
VGS=10V时

Ciss
典型值
(pF)

Qoss
典型值
(nC)

TPHR8504PL

SOP Advance

40

0.85

7370

85.4

 

 

 

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