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安森美半导体推出全系列双倍数据速率(DDR)终端稳压器

 2015-09-02

最新高性能整合方案提供有效的源极/汲极限流和

远程感测功能,用于智能手机、消费电子、计算机和汽车应用

 

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出一系列新的高性能器件,进一步加强了低压降(LDO)线性稳压器产品阵容,以支持双倍数据速率(DDR)内存。NCP51200NCP51400、 NCP51510NCP51199采用内建功率MOSFET,针对在计算机、数据网络、工业和手持消费市场等广泛应用中的特定应用如SDRAM DIMM内存、服务器、路由器、智慧手机、平板计算机平台、机顶盒、智能电视、打印机和个人计算机/笔记本电脑主板。还提供经AEC-Q100认证的版本用于汽车应用如嵌入式GPS定位系统、信息娱乐和无线网络及蓝牙通信。

 

这些高性能LDO支持DDR1、DDR2、DDR3、LPDDR3、DDR4和LPDDR4 标准,终端电压(VTT)低至500毫伏(mV)。当与DDR4和LPDDR4使用时,每一种的主动源电流和汲电流能力达2安培(A)。此外,当使用DDR4 和LPDDR4时,NCP51145可支持高达1.2 A。NCP/NCV51199可为DDR2和DDR3分别提供2 A和1.5 A源汲电流,而NCP51200和NCP51510指定运行于3 A峰值电流并支持远程感测。这些高度整合的DDR终端LDO的优势还包括平稳启动、晶载热关闭和(对一些器件) 欠压锁定机制。每款器件都有高速微分放大器,对线性电压和负载电流瞬变提供超快回应。所有这些器件还都兼容DDR1 和DDR2 ,易于升级到更新的DDR内存。工作温度范围指定为 -40 °C 至 +125 °C,汽车版本可扩展至+150 °C。

 

安森美半导体集成电路产品副总裁Simon Keeton说:「DDR内存广泛扩展至许多非传统产品如连接和物联网(IoT)促使数据传输增强。我们目前为整个DDR市场提供全面的变革器件,适用于新的设计项目,以及直接替代现有器件;但具更高性能以支持将来内存的升级。NCP51400和NCP51510是很高阶的集成电路(IC),能支持下一代DDR技术,而NCP51145结合卓越的性能及具吸引力的价格。此外,我们提供通过汽车认证(AEC-Q100)的版本,使最新的信息娱乐和安全系统能跟上新车客户期望的数据要求。」

 

封装

扩展了的15个NCP51xxx LDO 方案提供3 种不同的封装,包括8-pin的SOIC-EP、8-pin2x2 mm的DFN、和10-pin3x3 mm的DFN封装。

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