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Vishay具有低至39mΩ的导通电阻和7A~73A电流的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

 2012-12-26

新的E系列器件采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度,具有8种封装

 

日前,Vishay宣布其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件,将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ~600mΩ,将最高电流等级扩展至7A~73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术,使公司进入使用功率转换技术的增量市场,包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

 

日前发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷,可实现极低的传导损耗和开关损耗,从而在功率因子校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。

 

器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲,保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。

 

器件规格表:

*备注:粗体的器件是E系列的新增型号。

 

这些新款功率MOSFET现可提供样品。

 

VISHAY简介

Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市的“财富1,000 强企业”,是全球分立半导体(二极管、MOSFET和红外光电器件)和无源电子组件(电阻器、电感器、电容器)的最大制造商之一。这些元器件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天、电源及医疗市场中几乎所有类型的电子设备和装备。凭借产品创新、成功的收购战略,以及“一站式”服务使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com