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安森美半导体扩展至高性能、高密度 功率集成模块(PIM)市场

 2015-08-12

提升功效且保持可靠的运行并简化系统开发

 

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号: ON),推出最先进的80安(A)功率集成模块(PIM),具领先业界的性能,用于要求严格的不间断电源(UPS)、工业变频驱动器和太阳能逆变器等应用。

 

NXH80T120L2Q0PG PIM采用安森美半导体的专有沟槽第二代场截止技术(FSII)及强固的超快快速恢复二极管,配置为1200伏(V)、80 A半桥和600 V、50 A中点钳位式T型拓扑结构,达到超过98%的能效。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚,为客户提供高性能和可靠的功率模块方案。

 

安森美半导体扩展至PIM市场,源自于30多年的开发汽车点火IGBT和智能功率模块(IPM)的经验。NXH80T120L2Q0PG PIM运用安森美半导体丰富的封装专知,结温为175 °C,完全符合最高行业可靠性标准。此外,安森美半导体的模块方案为客户提供完全一体化的硅和封装供应链,确保高质量和成本效益。

 

安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说:「功率集成模块(PIM)是我们功率愿景的关键一环,使我们能扩展至更高功率的工业和汽车市场。这新的、极其强固的功率模块平台见证我们投入于提供全面的功率分立和模块方案的产品阵容,使客户能满足他们的高能效、高功率密度方案的需求。」

 


封装

NXH80T120L2Q0PG采用Q0PACK封装(尺寸65.9 mm x 32.5 mm x 11.75 mm)。