热点频道

Vishay发布首颗用于软开关拓扑的双片600V快速体二极管N沟道MOSFET

 2015-04-08

Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻,能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性,节约能源。

 

日前推出的600V快速体二极管MOSFET采用第二代超级结技术制造,很好地补充了Vishay现有的标准E系列元器件,扩充类似相移桥和LLC转换器半桥等可用于零电压开关(ZVS)/软开关拓扑的产品。

 

SiHx28N60EF和SiHx33N60EF的反向恢复电荷(Qrr)比标准MOSFET低10倍以上,可在这些应用中提高可靠性。低反向恢复电荷使器件能够更快地再次隔离完全击穿电压,有助于避免因击穿和热过应力而失效。另外,减小Qrr使器件的反向恢复损耗低于标准的MOSFET。

 

28A SiHx28N60EF和33A SiHx33N60EF有4种封装,分别具有123Ω和98Ω的超低导通电阻及栅极电荷,能够在太阳能逆变器、服务器和通信电源系统、ATX/银盒PC开关电源、焊接设备、UPS、电池充电器、半导体生产设备,以及LED和HID照明等高功率、高性能的开关电源应用里实现极低的传导损耗和开关损耗,从而节约能源。

 

这些器件可承受雪崩和整流模式里的高能脉冲,保证极限值100%通过UIS测试。MEOSFET符合RoHS,无卤素。

 

器件规格表:
WPIg_Vishay_Power_SIHG28N60EF-Spec

 

WPIg_Vishay_Power_SIHG28N60EF