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安森美半导体进一步加强汽车认证产品阵容

 2015-12-16

汽车前照灯M-LVDS驱动器/接收器辅以稳压器和

极低导通电阻的功率MOSFET

 

 

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),推出一系列新的符合AEC-Q100标准的集成电路(IC),优化用于下一代汽车设计。

NBA3N200/1/6S多点低压差分信号传输(M-LVDS)线性驱动器/接收器系列工作电源3.3 V。NBA3N200SNBA3N201S都支持高达每秒200兆比特(Mbps)的信号传输速率,共模电压范围

-1 V至3.4 V。这些器件有类别1(Type-1)接收器,以低至50毫伏(mV)的共模电压范围外的差分输入电压检测 总线状态。在接收器上差分输入电压滞后25 mV,防止由于缓慢变化的输入信号或输入损失在输出端产生振荡。NBA3N206S还使用阈值为0.1 V的类别2(Type-2)接收器,支持200 Mbps的信号传输速率 。类别2接收器的偏置电压阈值功能可检测开路、闲置总线和其它各种可能损坏系统的故障情况。这些器件用于汽车应用如像素前大灯,特别针对LED前大灯控制单元和前大灯之间的数据传输。

 

140 mV额定双输出线性稳压器NCV8154的输入电压范围为1.9 V至5.25 V, 有两个独立的输入电压引脚。这器件高度优化用于为汽车信息娱乐系统中的射频(RF)模块供电,能以超低噪声和高电源抑制比(PSRR)提供非常稳定和极高精度电压。低压降(LDO)稳压器NCV8170专门针对便携式电池供电应用,如汽车无匙进入系统,消耗电流典型值仅500纳安(nA)。而且,动态瞬态增强特性加强了该器件的瞬态响应特性。NCV8715是一款50毫安(mA)的高稳定性的LDO,输入电压高达24 V,接地电流消耗为4.7毫安(uA),超过全输出负载范围。该器件非常适用于汽车级微控制器单元。NCV8154 / NCV8715 / NCV8170都提供热关断和限流保护特性,确保可靠运行。

 

 

公司还推出单N沟道MOSFET,能提供令人难以置信的低导通电阻值,从而最大限度地减少导通损耗,并提高整体工作能效水平。额定电压为40 V 的MOSFET NVMFS5C404NLNVMFS5C410NLNVMFS5C423NLNVMFS5C442NL,在10 V时导通电阻典型值分别为0.56 mΩ、 0.71 mΩ、1.6 mΩ 和 2.2 mΩ。与这些器件相辅相成的是60 VNVMFS5C604NLNVMFS5C612NLNVMFS5C646NLNVMFS5C670NL,在10 V时导通电阻典型值分别为0.93 mΩ、1.2 mΩ、3.8mΩ 和5.1 mΩ。这些器件扩展安森美半导体用于电源开关、负载开关、电机控制和其它汽车应用的广泛的MOSFET产品阵容。