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Fairchild全新SuperFET II MOSFET与高压整流器加速电动汽车设计

 2015-10-14

快捷半导体(Fairchild)推出全新符合汽车认证的SuperFET II MOSFET与高压整流器产品系列,致力于解决汽车制造商及其零件供货商的更高阶需求,这两款新产品整体均符合更清洁、更智慧的汽车设计要求,也是提高混合动力、插电式混合动力与纯电动汽车中所使用的车载充电器与 DC-to-DC 转换器之额定功率的。

 

Fairchild 混合动力与电动汽车部门总监 Fabio Necco 说道:「插电式混合动力与纯电动汽车制造商的主要目标是在提高功率等级的同时确保车载电池充电器和 DC-DC 转换器尽可能轻便小巧。全新 SuperFET II MOSFET 与高压整流器产品组合广泛,Fairchild 能够借此帮助制造商最大限度地提高这些部件的效率、功率密度与可靠性,这对减小尺寸和重量至关重要,当然也符合因发展电动汽车而在环境、经济与能源上随之而来的利益。」

 

Fairchild符合 AEC-Q101要求的650V SuperFET II MOSFET 产品系列由9个装置组成,有各种封装选项可选,达业界较低的 41 mOhm RDS(on) ,可帮助客户降低开关与传导损耗。650V SuperFET II MOSFET产品系列电阻率低且开关性能佳,因此具有较高的产品效率,尤其适用于混合动力与插电式电动汽车。新产品系列使用最新的超接面技术,满足小尺寸与更高的效率,与此同时,其内置二极管可在高 dv/dt 条件下提高桥接电路可靠性。

 

此外,650V SuperFET II MOSFET 产品系列的二极管使得制造商可在较低的电磁干扰(EMI)下实现开关性能。 这一点非常重要,因为混合动力与插电式电动汽车具有「恶劣的」EMI 环境,尽可能少地加入额外 EMI 是改善整体系统可靠性的一大优势。

 

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