热点频道

PowerPAK® SO-8L封装的Vishay 600V和650V E系列MOSFET提高可靠性并减小封装电感

 2017-10-25

MOSFET节省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的器件,适用于照明、计算和消费应用

 

Vishay Intertechnology, Inc. 日前宣布,推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件,扩充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65ESiHJ7N65E更省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有高可靠性和小封装电感,可用于照明、工业、电信、计算和消费应用。

 

日前推出的MOSFET由Vishay Siliconix设计和开发,表面贴装PowerPAK SO-8L封装完全符合RoHS,无卤素,无铅。SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E的尺寸为5mm x 6mm,占板空间和高度只有TO-252(DPAK)封装器件的一半。而且,与无引线DFN封装的MOSFET相比,在整机设备的使用寿命内碰到温度循环情况时,PowerPAK SO-8L的鸥翼引线结构能有效提高板级的可靠性。

 

SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E使用Vishay最新的高能效E系列超级结技术制造,在10V下的最大导通电阻只有0.52Ω,栅极电荷低至17nC,导通电阻与栅极电荷乘积更低,该参数是评价功率转换应用中MOSFET的优值系数。在功率因子校正、反激、双管正激转换器,以及HID和LED照明、工业、电信、消费和计算类应用的电源适配器等硬开关拓扑中,这些参数意味着MOSFET能实现极低的传导和开关损耗,有效节约能源。

 

MOSFET可承受雪崩和换相模式中的高能脉冲,保证限值通过100%的UIS测试。

 

器件规格表:

产品编号

VDS (V)

VGS (V)

ID (A) @ 25 °C

RDS(ON) (Ω) @ 10 V (最大值)

Qg (nC) @ 10 V

(典型值)

SiHJ8N60E

600

± 30

8.0

0.520

22

SiHJ6N65E

650

± 30

5.6

0.868

16

SiHJ7N65E

650

± 30

7.9

0.598

22