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英飞凌新款逻辑位准 MOSFET 采用 PQFN 封装 实现高功率密度

 2017-04-07

英飞凌科技股份有限公司推出新逻辑位准 IR MOSFET™ 系列产品,包括  60V、80V 和 100V 三种不同的电压等级,采用 2 mm x 2 mm PQFN 封装,非常适合有外型尺寸限制的无线充电、变压器和电信等应用。 新款产品除了精巧的封装尺寸,也具备更高的功率密度及更佳的效能,同时还能节省空间、减少零件数量以及降低整体系统成本。


 

新款 IR MOSFET 装置采用 PQFN 封装,其 RDS(on) 较竞争对手产品低了 11% 至 40%。超低闸极电荷 (Qg) 可减少切换损耗,同时不增加导通损耗。此外,输出电容 (COSS) 和逆复原电荷 (Qrr) 均已优化,FOMg (RDS(on) x Qg/gd) 也有所提升。IR MOSFET 装置能在最高 6.78 MHz 的高切换频率下运作,可充分满足振谐式无线充电应用的需求。逻辑位准闸极驱动拥有低闸极阈值电压 (VGS(th)),仅需 5V 即可直接由微控制器驱动 MOSFET。

供货情形
本款 IR MOSFET 系列现已提供 60V 与 80V 产品,100V 装置已在开发当中。详细信息请浏览 www.infineon.com/IR-MOSFET- logiclevel。