英飞凌科技股份有限公司推出新逻辑位准 IR MOSFET™ 系列产品，包括  60V、80V 和 100V 三种不同的电压等级，采用 2 mm x 2 mm PQFN 封装，非常适合有外型尺寸限制的无线充电、变压器和电信等应用。 新款产品除了精巧的封装尺寸，也具备更高的功率密度及更佳的效能，同时还能节省空间、减少零件数量以及降低整体系统成本。

新款 IR MOSFET 装置采用 PQFN 封装，其 R_DS(on) 较竞争对手产品低了 11% 至 40%。超低闸极电荷 (Qg) 可减少切换损耗，同时不增加导通损耗。此外，输出电容 (C_OSS) 和逆复原电荷 (Q_rr) 均已优化，FOM_g (R_DS(on) x Q_g/gd) 也有所提升。IR MOSFET 装置能在最高 6.78 MHz 的高切换频率下运作，可充分满足振谐式无线充电应用的需求。逻辑位准闸极驱动拥有低闸极阈值电压 (V_GS(th))，仅需 5V 即可直接由微控制器驱动 MOSFET。

供货情形
本款 IR MOSFET 系列现已提供 60V 与 80V 产品，100V 装置已在开发当中。详细信息请浏览 www.infineon.com/IR-MOSFET- logiclevel。