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功率整合模組 NXH80T120L2Q0

 2016-04-13

【產品特性】

‧極高能效的溝槽IGBT,採用場截止型技術
‧模組設計提供高功率密度
‧低電感佈局
‧Q0PACK封裝採用壓合(Press-Fit)引腳

【產品應用】

‧工業變頻驅動器

【文字介紹】

NXH80T120L2Q0PG PIM採用安森美半導體的專有溝槽第二代場截止技術(FSII)及強固的超快快速恢復二極體,配置為1200伏(V)、80 A半橋和600 V、50 A中點鉗位式T型拓撲結構,達到超過98%的能效,結溫為175 °C,完全符合最高行業可靠性標準。可配置的封裝平臺採用大功率直接鍵合銅(DBC)基板技術及專有的壓合(press-fit)引腳,為客戶提供高性能和可靠的功率模組方案。