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功率整合模块 NXH80T120L2Q0

 2016-04-13

【产品特性】

‧极高能效的沟槽IGBT,采用场截止型技术
‧模块设计提供高功率密度
‧低电感布局
‧Q0PACK封装采用压合(Press-Fit)引脚

【产品应用】

‧工业变频驱动器

【文字介绍】

NXH80T120L2Q0PG PIM采用安森美半导体的专有沟槽第二代场截止技术(FSII)及强固的超快快速恢复二极管,配置为1200伏(V)、80 A半桥和600 V、50 A中点钳位式T型拓扑结构,达到超过98%的能效,结温为175 °C,完全符合最高行业可靠性标准。可配置的封装平台采用大功率直接键合铜(DBC)基板技术及专有的压合(press-fit)引脚,为客户提供高性能和可靠的功率模块方案。