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NSC美國國家半導體推出業界最低雜訊的全新零漂移放大器單組裝的LMP2021及雙組裝的LMP2022

 2009-03-11

創新的雜訊波形調整技術適用於感測器介面系統,為自動歸零放大器開闢一個全新的應用領域

美國國家半導體公司 (National Semiconductor Corporation)最新推出的兩款零漂移運算放大器,不但具有業界最低的輸入電壓雜訊(1000V/V倍增益操作時,輸入雜訊低至11nV/sqrt Hz),而且以直流電壓進行操作時準確度也極高,最適用於低頻率、低供電電壓的感測器介面系統。由於這兩款新晶片在性能上具有明顯的優勢,從而使這類零漂移放大器的應用領域得以進一步擴大,甚至適用于增益要求極高而雜訊低至15nV/sqrt Hz 以下的感測器介面。 

單組裝的LMP2021及雙組裝的LMP2022高精度運算放大器非常適用於感測器介面系統,其中包括負載感測器、壓力感器及力度感測器,因此可以廣泛用於工業系統、科研用重量計、醫療、測量設備、以及供暖、通風和空調系統。美國國家半導體已將這兩款放大器晶片列為最新推出的WEBENCH® Sensor Designer 感測器設計工具之一。這套全新的線上設計工具可以簡化設計流程,並縮短開發時間。以感測器信號路徑的設計為例,工程師只需在鍵盤上輕按幾次,便可完成從構思、模擬測試到建模的整個設計過程。 

美國國家半導體的零漂移放大器採用創新的雜訊波形調整技術,可以利用內置的連續校正電路確保輸入偏移錯誤電壓自動歸零,換言之,無論操作時間有多長、溫度出現什麼變化,這兩款放大器都可不斷保持最高的精確度,並具有極高的共模抑制比(CMRR)及電源抑制比(PSRR)。以振幅較小的輸入信號為例,雖然這類信號以較高增益倍數放大,但這兩款運算放大器在放大這些信號之後,其輸入電壓雜訊反而會下降,由100V/V增益的15nV/sqrt Hz (典型值) 下降至 1000V/V增益的11nV/sqrt Hz。若以該關鍵參數作為基準進行比較,美國國家半導體這兩款產品比競爭對手優勝50%。此外,這兩款運算放大器還可濾除低頻系統的中頻錯誤電壓雜訊。 

LMP2021/22晶片均內置可抑制電磁干擾(EMI)濾波器,它是最近推出的LMV83xLMV85xLMV86x超強抗電磁干擾能力運算放大器系列的最新型號。LMP2021/22晶片的電磁干擾抑制比(EMIRR)高達79dB,因此可抑制外來的射頻干擾。此外,這兩款運算放大器除了適用於24位元的資料獲取系統之外,也可驅動美國國家半導體最新推出的16ADC161S626類比/數位轉換器。這款類比/數位轉換器可在攝氏-40度至85 度的溫度範圍內保持 +/-0.003% 的信號準確度。以高解析度的資料獲取系統為例,系統設計工程師一般會根據類比/數位轉換器的滿標度輸入範圍設定感測器的輸出,以確保系統具有最高的靈敏度。 

LMP2021/22 零漂移高精度放大器的主要特性 

單組裝的LMP2021及雙組裝的LMP2022都屬於零漂移、低雜訊、抗電磁干擾能力更強的運算放大器,其優點是輸入偏移電壓漂移溫度係數(TCVos)極低(每攝氏度僅有0.004uV),而偏移電壓典型值則只有0.4uV。這兩款晶片均可在2.2V5.5V的供電電壓範圍內進行操作,增益帶寬則高達5MHz,但每通道的耗電則低至1.1mALMP2021/22運算放大器的開環增益為160dB,共模抑制比為139dB,而電源抑制比則為130dB。此外,這兩款晶片都可在攝氏-40度至125度的寬溫度範圍內進行操作。LMP2021晶片有5引腳 SOT238引腳 SOIC兩種封裝可供選擇,而LMP2022晶片則有8引腳SOIC8引腳MSOP兩種封裝。 

美國國家半導體的放大器系列 

美國國家半導體一直專注於研發高性能的放大器及比較器,目前已成功推出一系列型號齊全的運算放大器,以滿足市場上對高精度、高速、低電壓及低功率放大器的需求。該公司多年來一直致力於開發創新的放大器,這方面的技術更一直領先同業,加上該公司也擁有先進的 VIP10 雙極及 VIP50 BiCMOS 工藝技術,這幾方面的優勢令美國國家半導體將可繼續在放大器市場上保持其領導地位。此外,美國國家半導體率先推出 Silicon Dust™ micro SMD 這兩種嶄新的封裝技術,為封裝技術的市場領導者。如欲進一步查詢有關美國國家半導體放大器產品的資料,可流覽 national.com/amplifiers 網頁。 

價格及供貨情況

LMP2021LMP2022款晶片已有批量供貨,採購以1,000顆為單位.