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MXIC旺宏電子發展下世代寬電壓/超低功耗快閃記憶體,攻穿戴式智慧裝置市場

 2015-03-11

 

全球非揮發性記憶體(Non-Volatile Memory)解決方案領導廠商旺宏電子(股票代號:2337)今日宣佈推出新系列高效能、寬電壓/超低功耗,適合穿戴式裝置的下世代NOR Flash記憶體解決方案-MX25R產品家族。此新型寬電壓/超低功耗MX25R產品家族,採用標準Serial NOR快閃記憶體介面、提供超小體積如USON、WLCSP的封裝產品,亦可提供良裸晶KGD與主晶片搭配: Vcc寬電壓設計 (1.7V~3.6V) 比傳統減少60%以上的超低功耗,可以依照穿戴式產品不同需求來做選擇。

 

目前,穿戴式裝置市場正在快速起飛,IDC統計指出,到2018年市場總量約可擴大到1.12億台的規模,年複合成長率達78.4%;針對此龐大的穿戴式裝置商機,旺宏亦早已展開策略佈局市場,並加速開發相關產品解決方案 (如寬電壓/超低功耗NOR Flash),希冀在此日益增長的市場搶佔一席之地。

 

旺宏市場行銷處副處長林民正先生表示:「因應此波智慧穿戴式裝置的需求,低功耗、微小化的元件設計將會是穿戴式裝置能否快速普及的主要關鍵因素;而下世代記憶體將會朝這些方向發展:1.介面採標準化,容易導入為優先、2.外型規格越小越輕薄、3.供電設計則以低電壓與低耗能為主。」

 

目前,旺宏廣泛應用於穿戴式產品的NOR Flash產品解決方案,除了此次新推出的寬電壓/超低功耗MX25R產品家族之外,主要還包括1.8V 512Kb~512Mb Serial NOR產品系列,可搭配KGD良裸晶、WLCSP晶圓級封裝等小尺寸封裝,而MCP多晶片封裝記憶體也已有許多智慧穿戴科技產品紛紛選用。此外,旺宏在創新記憶體技術的研發上也不遺餘力,主要為:1. VG (vertical gate;垂直閘極) 的3D NAND,採自家專利的BE-SONOS技術,突破製程極限2. ReRAM (磁變電阻式記憶體) 技術,具高速、低耗電、簡單儲存單元架構、未來更可應用於穿戴式應用產品。

 

旺宏穿戴式裝置產品解決方案:

 

  •  1.7V ~ 3.6V Serial NOR (MX25R): 512Kb ~ 64Mb

-   Packages: 8-SOP、8-WSON、8-USON、WLCSP、KGD

-   64Mb Sampling

 

  •  1.8V Serial NOR (MX25/66U): 512Kb ~ 512Mb

-   Packages: 2*3/ 4*3/ 4*4 USON、6*5/ 6*8 WSON、WLCSP、KGD

-   Available

 

  •  1.8V NOR MCP

-   MX65U ( SPI-NOR + pSRAM) : 64Mb+32Mb, 128Mb +64Mb

-   MX69N ( AD-Mux PNOR + pSRAM): 64Mb +32Mb

-   MX69V ( AD-MUX PNOR + pSRAM): 128Mb +64Mb

-   Packages: 6.2*7.7/ 6*6 TFBGA

-   Available

 

  •  1.8V NAND MCP

-   MX63U ( SLC NAND + LPDDR2): 4Gb+2Gb, 2Gb+1Gb, 1Gb+1Gb

-   Packages: 8*10.5/8*9 VFBGA

-   Available

 

旺宏電子股份有限公司

旺宏電子為全球非揮發性記憶體整合元件領導廠商,提供跨越廣泛規格及容量的ROM唯讀記憶體、NOR型快閃記憶體以及NAND型快閃記憶體解決方案。旺宏電子以世界級的研發與製造能力,提供最高品質、創新及具備高性能表現的產品,以供客戶應用於消費、通訊、電腦、汽車電子、網通及其他等領域。

 

 

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