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TOSHIBA東芝公司發佈600V系統超級結MOSFET DTMOS IV系列: TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W

 2012-12-26

600V系統超級結MOSFET DTMOS IV系列: TK10A60WTK12A60WTK16A60W

Toshiba已經開發出第四代600V系統超級結MOSFET DTMOS IV系列。該系列採用了最新的單層外延工藝, 所以顯著地提高了性能,其數位化的優點是,與傳統產品 (DTMOSIII) 相比,RON·A 降低達 30%。這種對於RON·A的改進使得晶片于各種封裝中實現了更低的導通電阻,這就提高了電源效率也顯著地減少了集成元件數量。

*根據東芝的調查 (截止於2012年9月)

 

特徵

  • 與傳統產品(DTMOS III)相比,RON•A下降了30%。
  • 因為採用了單層外延工藝,所以高溫時的低導通電阻有略微上升。
  • 由於COSS降低,EOSS比傳統產品(DTMOS III)下降了12%。
  • 導通電阻(RDS(ON)最大值)的陣容廣泛:0.9至0.018Ω。
  • 封裝陣容廣泛

 

應用

開關電源、微型逆變器、LED 照明、LCD 電視機、適配器、充電器。

 

電路實例

半橋式AC-DC電源的電路實例

 

 

輪廓圖

 

 

產品陣容

 

 

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