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东芝推出新一代600V平面MOSFET系列,结合高效率及低噪声等特色

 2018-02-07

 

东芝电子元件及储存装置株式会社今日(1月17日)宣布推出“第九代π-MOS”,全新600V平面式MOSFET系列,量产出货于即日起启动。

第九代π-MOS系列采用最佳化的芯片设计,与现有的第七代系列相比,其EMI噪声峰值低5dB[1],但同时又保持了相同水准效率。它提供更大的设计自由度进而助于减少设计的工作量。另外,此系列具备相同的额定雪崩电流和额定直流电流,可轻松取代现有的MOSFET。

东芝为扩大第九代π-MOS系列之产品阵容,往后将陆续推出更多500V、 600V和650V元件,提供客户更多产品选择。

 

应用方面

-         笔电AC变压器及游戏机充电器中的小型电源供应器

-         照明电源供应器

 

产品特点

  1. 兼具高效率及低噪声
  2. 额定雪崩电流和直流电流相等

 

主要规格

产品型号

封装

绝对最大额定值

RDS(ON)
MAX (Ω)
at VGS=10V

Qg
Typ.
(nC)

Ciss
Typ.
(pF)

现有(π-MOS VII 系列)
产品型号

VDSS (V)

ID (A)

TK650A60F

TO-220SIS

600

11

0.65

34

1320

TK11A60D

TK750A60F

TO-220SIS

600

10

0.75

30

1130

TK10A60D

TK1K2A60F

TO-220SIS

600

6

1.2

20.5

740

TK6A60D (1.25Ω)

TK1K9A60F

TO-220SIS

600

3.7

1.9

14

490

TK4A60DB (2.0Ω)

 

注:
[1]:TK10A60D与TK750A60F相比较(65W笔记型电脑变压器在200MHz区域内)。

 

 

 

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