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NSC美国国家半导体推出业界最低杂讯的全新零漂移放大器单组装的LMP2021及双组装的LMP2022

 2009-03-11

创新的杂讯波形调整技术适用于传感器界面系统,为自动归零放大器开辟一个全新的应用领域

美国国家半导体公司 (National Semiconductor Corporation)最新推出的两款零漂移运算放大器,不但具有业界最低的输入电压杂讯(1000V/V倍增益操作时,输入杂讯低至11nV/sqrt Hz),而且以直流电压进行操作时准确度也极高,最适用于低频率、低供电电压的传感器界面系统。由于这两款新芯片在性能上具有明显的优势,从而使这类零漂移放大器的应用领域得以进一步扩大,甚至适用于增益要求极高而杂讯低至15nV/sqrt Hz 以下的传感器界面。 

单组装的LMP2021及双组装的LMP2022高精度运算放大器非常适用于传感器界面系统,其中包括负载传感器、压力感器及力度传感器,因此可以广泛用于工业系统、科研用重量计、医疗、测量设备、以及供暖、通风和空调系统。美国国家半导体已将这两款放大器芯片列为最新推出的WEBENCH® Sensor Designer 传感器设计工具之一。这套全新的在线设计工具可以简化设计流程,并缩短开发时间。以传感器信号路径的设计为例,工程师只需在键盘上轻按几次,便可完成从构思、模拟测试到建模的整个设计过程。 

美国国家半导体的零漂移放大器采用创新的杂讯波形调整技术,可以利用内置的连续校正电路确保输入偏移错误电压自动归零,换言之,无论操作时间有多长、温度出现什么变化,这两款放大器都可不断保持最高的精确度,并具有极高的共模抑制比(CMRR)及电源抑制比(PSRR)。以振幅较小的输入信号为例,虽然这类信号以较高增益倍数放大,但这两款运算放大器在放大这些信号之后,其输入电压杂讯反而会下降,由100V/V增益的15nV/sqrt Hz (典型值) 下降至 1000V/V增益的11nV/sqrt Hz。若以该关键参数作为基准进行比较,美国国家半导体这两款产品比竞争对手优胜50%。此外,这两款运算放大器还可滤除低频系统的中频错误电压杂讯。 

LMP2021/22芯片均内置可抑制电磁干扰(EMI)滤波器,它是最近推出的LMV83xLMV85xLMV86x超强抗电磁干扰能力运算放大器系列的最新型号。LMP2021/22芯片的电磁干扰抑制比(EMIRR)高达79dB,因此可抑制外来的射频干扰。此外,这两款运算放大器除了适用于24位元的资料获取系统之外,也可驱动美国国家半导体最新推出的16ADC161S626类比/数码转换器。这款类比/数码转换器可在摄氏-40度至85 度的温度范围内保持 +/-0.003% 的信号准确度。以高分辨率的资料获取系统为例,系统设计工程师一般会根据类比/数码转换器的满标度输入范围设定传感器的输出,以确保系统具有最高的灵敏度。 

LMP2021/22 零漂移高精度放大器的主要特性 

单组装的LMP2021及双组装的LMP2022都属于零漂移、低杂讯、抗电磁干扰能力更强的运算放大器,其优点是输入偏移电压漂移温度系数(TCVos)极低(每摄氏度仅有0.004uV),而偏移电压典型值则只有0.4uV。这两款芯片均可在2.2V5.5V的供电电压范围内进行操作,增益带宽则高达5MHz,但每通道的耗电则低至1.1mALMP2021/22运算放大器的开环增益为160dB,共模抑制比为139dB,而电源抑制比则为130dB。此外,这两款芯片都可在摄氏-40度至125度的宽温度范围内进行操作。LMP2021芯片有5引脚 SOT238引脚 SOIC两种封装可供选择,而LMP2022芯片则有8引脚SOIC8引脚MSOP两种封装。 

美国国家半导体的放大器系列 

美国国家半导体一直专注于研发高性能的放大器及比较器,目前已成功推出一系列型号齐全的运算放大器,以满足市场上对高精度、高速、低电压及低功率放大器的需求。该公司多年来一直致力于开发创新的放大器,这方面的技术更一直领先同业,加上该公司也拥有先进的 VIP10 双极及 VIP50 BiCMOS 工艺技术,这几方面的优势令美国国家半导体将可继续在放大器市场上保持其领导地位。此外,美国国家半导体率先推出 Silicon Dust™ micro SMD 这两种崭新的封装技术,为封装技术的市场领导者。如欲进一步查询有关美国国家半导体放大器产品的资料,可流览 national.com/amplifiers 网页。 

价格及供货情况

LMP2021LMP2022款芯片已有批量供货,采购以1,000颗为单位.