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TOSHIBA东芝公司发布600V系统超级结MOSFET DTMOS IV系列: TK10A60W、TK12A60W、TK16A60W

 2012-12-26

600V系统超级结MOSFET DTMOS IV系列: TK10A60WTK12A60WTK16A60W

我们已经开发出第四代600V系统超级结MOSFET DTMOS IV系列。该系列采用了最新的单层外延工艺, 所以显著地提高了性能,其数字元元化的优点是,与传统产品 (DTMOSIII) 相比,RON·A 降低达 30%。这种对于RON·A的改进使得芯片于各种封装中实现了更低的导通电阻,这就提高了电源效率也显著地减少了集成组件数量。

*: 根据东芝的调查 (截止于2012年9月)

 

特征

  • 与传统产品(DTMOS III)相比,RON•A下降了30%。
  • 因为采用了单层外延工艺,所以高温时的低导通电阻有略微上升。
  • 由于COSS降低,EOSS比传统产品(DTMOS III)下降了12%。
  • 导通电阻(RDS(ON)最大值)的阵容广泛:0.9至0.018Ω。
  • 封装阵容广泛

 

应用

开关电源、微型逆变器、LED 照明、LCD 电视机、适配器、充电器。

 

电路实例

半桥式AC-DC电源的电路实例

 

 

轮廓图

 

 

产品阵容

 

 

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